Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов 2-е изд. испр.
* Цена будет уточнена при оформлении заказа.
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных М О П-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей М О П Т и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных М О П-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных С Б И С (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления К М О П С Б И С, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
- Автоматика. Радиоэлектроника. Связь
- Продажа от Читай-город
- Артикул: 2623840
Доставка Почтой России, экспресс-доставка курьером или заказ забирается самовывозом из пунктов выдачи и постаматов. Успей купить по дешевой цене, товар находится в ограниченной продаже!
Проверено 09.05.2025 г.
