Конфигурация: n-p-n Мощность: рассеиваемая постоянная: 50 Вт Частота: коэффициента передачи тока граничная: более 50 М Гц Максимальное напряжение: коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В Максимальное напряжение: эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 15 А Максимальный ток: коллектора импульсный: 25 А Ток: обратный: не более 25 м А Коэффициент: передачи тока статический: 10-60 Сопротивление: насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0.17 Ом Транзисторы 2 Т926 А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных модуляторах. Корпус металлокерамический с жесткими выводами. Масса транзистора не более 20 г. Тип корпуса: К Т-10.
Проверено 10.02.2025 г.