Тип памяти: DDR4; Общий объём памяти, Гб: 16; Количество модулей: 2; Тактовая частота: 3200 М Гц; Пропускная способность: 25600 Мб/с; Форм-фактор: DIMM 288-контактный; Низкопрофильная (Low Profile): нет; Поддержка ECC: нет; Буферизованная (Registered): нет; CAS Latency (CL): 16; RAS to CAS Delay (tRCD): 18; Row Precharge Delay (tRP): 18; Activate to Precharge Delay (tRAS): 36; Назначение: для П К; Напряжение питания: 1.35 В; Радиатор: есть
Проверено 27.01.2025 г.