Дополнительно Количество ранков 2 Напряжение питания 1.2 В Общие характеристики Пропускная способность 21300 М Б/с Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Поддержка ECC нет Тактовая частота 2666 М Гц Форм-фактор DIMM 288-контактный Тип памяти DDR4 Объем 1 модуль 32 Г Б Тайминги CAS Latency (CL) 19
Проверено 26.12.2024 г.